| 加工定制：否 | 品牌：思普特 | 型号：LM61-SIMI2939 |
| 类型：半导体分立器件测试仪 | 外形尺寸：W84×H275×D40(mm)mm | 重量：5Kg |
| 产品用途：半导体分立器件测试仪 | 规格：LM61-SIMI2939 |
思普特 半导体分立器件测试仪 型号:LM61-SIMI2939
思普特 半导体分立器件测试仪 型号:LM61-SIMI2939
思普特 半导体分立器件测试仪 型号:LM61-SIMI2939
一、产品特点：
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。被测器件可通过图形显示，系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。
二、测试参数
1． 二极管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二极管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
7．三端稳压器
VO、SV、ID、IDV
可测封装（TO-247，TO-220，TO-92，TO-39，14脚以下DIP）
三、测试参数范围
晶体管
测试参数 | 测试范围 |
ICEO ICES ICBO | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IEBO | 10uA-100uA 100uA-1mA 1mA-10mA 10mA-100mA |
VCE(sat) VBE(sat) | 0.10V-30V |
VBE(VBE(on)) | 0.10V-30V |
hFE | 1－99999 |
V(BR)EBO | 0.10V-30V |
V(BR)CEO V(BR)CBO | 10V-30V 30V-1499V |
二极管
测试参数 | 测试范围 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
V(BR) | 1V-30V |
30V-1499V |
稳压二极管
测试参数 | 测试范围 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
VZ | 0.10V-30V |
三端稳压器
测试参数 | 测试范围 |
VO | 0.10V-30V |
SV | 0.10mV-1V |
ID | 1uA-1 |
IDV | 1uA-10mA |
MOSFET
测试参数 | 测试范围 |
VGS(th) | 0.10V-30V |
gfs | 0.1mS-1000S |
RDS(on) | 10mΩ-100KΩ |
VDS(on) | 0.10V-30V |
IGSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IDSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA 10mA-100mA |
ID(on) | 0-20A |
V(BR)GSS | 0.1V-30V |
V(BR)DSS | 0.1V-1499V |
光耦
测试参数 | 测试范围 |
VF | 0.10V-30V |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) | 0.10V-30V |
CTR | 0.1%-1000% |
ICEO | 与IR参数相同 |
ICBO | 与IR参数相同 |
V(BR)CBO V(BR)CEO | 0.10V-30V |
| 30V-1499V |
可控硅
测试参数 | 测试范围 |
IGT | 10uA-200mA |
VGT | 0.10V-30V |
IH | 10uA-1A |
IL | 10uA-1A |
VTM | 0.10V-30V |
3.3主要技术指标
1、源的指标
压流源 (VA)
电压：
设定范围（V） | ***度 |
±(0~10) | ±(12.2mV+0.25%set) |
±(10~30) | ±(24.4mV+0.25%set) |
电流：
测量范围 | ***度 |
±(0-20)uA | ±(48.8nA+0.25% set) |
±(20-200) uA | ±(488nA+0.25% set) |
±(0.2-2) mA | ±(4.88uA+0.25% set) |
±(2-20) mA | ±(48.8uA+0.25% set) |
±(20~200) mA | ±(244uA+0.25%set) |
±(0.2~2)A（脉冲） | ±(2.44mA+0.25%set) |
±(2-20)A（脉冲） | ±(24.4mA+1%set) |
压流源 (VB)
电压：
设定范围（V） | ***度 |
±(0~10) | ±(12.2mV+0.25%set) |
±(10~30) | ±(24.4mV+0.25%set) |
电流：
测量范围 | ***度 |
±(0-20)uA | ±(48.8nA+0.25% set) |
±(20-200) uA | ±(488nA+0.25% set) |
±(0.2-2) mA | ±(4.88uA+0.25% set) |
±(2-20) mA | ±(48.8uA+0.25% set) |
±(20~200) mA | ±(244uA+0.25%set) |
高压源（HV）
设定范围（V） | ***度 |
0~1500 | ±(1.22V+1%set) |
*1500V时输出为1mA。
2、电压表的指标
测漏电流
测量范围 | ***度 |
±(0~200)nA | ±(2.44nA+0.25% Rdg) |
±(0.2-2)uA | ±(24.4nA+0.25% Rdg) |
±(2-20)uA | ±(244nA+0.25% Rdg) |
±(20~200) uA | ±(2.44uA+0.25% Rdg) |
±(0.2~2)mA | ±(24.4uA+0.25% Rdg) |
±(2-20)mA | ±(244uA+0.25% Rdg) |
±(20~200) mA | ±(2.44mA+0.25% Rdg) |
±(0.2~2)A（脉冲） | ±(24.4mA+0.25% Rdg) |
±(2-20)A（脉冲） | ±(244mA+1% Rdg) |
测试电压
设定范围（V） | ***度 |
±(0~10) | ±(3mV+0.25% Rdg) |
±(10~30) | ±(3mV+0.25% Rdg) |
测击穿电压
设定范围（V） | ***度 |
（0~30）V/10mA | ±(36.6mV+0.25% Rdg) |
（30~1500）V/1mA | ±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍数
设定范围（V） | ***度 |
1~9999 | 1% |
